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咸阳振峰电子今天想跟大脚聊聊晶体成都谐振器和成都振荡器的区别，单从两者的名字来看，两者好像并无太大差别，然后，如果从两者的两者在性能稳定以及电路连接，成本落差来看却有着明显的区别。

1，成都晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。

2，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。

3，晶体振荡器种类复杂繁多，可分为以下几种：普通振荡器（SPXO）；温补振荡器（TCXO）；压控振荡器（VCXO），压控温补振荡器（VC-TCXO）；恒温振荡器（OCXO）。而晶体谐振器只有一种，就是自身。

4，晶体振荡器的精度高于晶体谐振器，因此两者论性能稳定度，莫属晶体振荡器出众。晶体振荡器中的温补振荡器最高精度可达到0.5ppm，晶体谐振器最高精度只能做到5ppm，且为DIP封装，SMD封装最高精度仅仅只有10PPM。

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